ホーム 製品mosfet 力トランジスター表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W
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良い品質 プログラム可能な IC の破片 販売のため
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表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W

中国 表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W サプライヤー

大画像 :  表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: IOR
証明: ROHS
モデル番号: IRFR024NTRPBF

お支払配送条件:

最小注文数量: 50個
価格: negotiate
パッケージの詳細: 2000Pcs/Reel
受渡し時間: 2〜3営業日
支払条件: ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力: 20KPCS
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詳細製品概要
FETのタイプ: N チャネル 動作温度: -55°C | 175°C
湿気感受性のレベル(MSL): 1 (無制限) 無鉛状態/RoHS の状態: 迎合的な無鉛/RoHS

迎合的なIRFR024NTRPBF D-PAK Nチャネル55V 17A 45Wの表面の台紙RoHS

特徴
l超低いオン抵抗
l表面の台紙(IRFR024N)
lまっすぐな鉛(IRFU024N)
l高度の加工技術
lは切換え絶食します
評価される十分にlなだれ
FETのタイプNチャネル 
技術MOSFET (金属酸化物) 
流出させて下さいに源の電圧(Vdss)55V 
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C17A (Tc) 
運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを)10V 
(最高) @ ID、VgsのRds75 mOhm @ 10A、10V 
Vgs ((最高) Th) @ ID4V @ 250µA 
充満((最高) Qg) @ Vgsをゲートで制御して下さい20nC @ 10V 
Vgs (最高)±20V 
入力キャパシタンス(Ciss) (最高) @ Vds370pF @ 25V 
FETの特徴- 
電力損失(最高)45W (Tc) 
実用温度-55°C | 175°C (TJ) 
土台のタイプ表面の台紙

 

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